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陈*璇
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fqpf10n60c仙童场效应管  10n60c仙童场效应管  仙童场效应管

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电子元件 - 场效应管 - 增强型MOS管(N沟道)
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fairchild/
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fqpf10n60c
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欢迎咨询客服 产品介绍 fqpf10n60c 产品规格 参数 pdf 数据列表fqp10n60c, fqpf10n60c 产品相片to-220ab 标准包装 ? 50 类别分立半导体产品 家庭fet - 单 系列qfet® 包装 ? 管件 ? fet 类型mosfet n 通道,金属氧化物 fet 功能标准 漏源极电压 (vdss)600v 电流 - 连续漏极 (id)(25°c 时)9.5a(tc) 不同 id、vgs 时的 rds on(大值)730 毫欧 @ 4.75a,10v 不同 id 时的 vgs(th)(大值)4v @ 250µa 不同 vgs 时的栅极电荷 (qg)57nc @ 10v 不同 vds 时的输入电容 (ciss)2040pf @ 25v 功率 - 大值50w 安装类型通孔 封装/外壳to-220-3 整包 供应商器件封装to-220f 欢迎咨询客服 本产品的品牌是fairchild/仙童,型号是fqpf10n60c,种类是绝缘栅(mosfet),沟道类型是n沟道,导电方式是增强型,用途是sw-reg/开关电源,封装外形是cer-dip/陶瓷直插,材料是n-fet硅n沟道

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